kohärentes optisches Modul

  • Gigalight 100G CFP-DCO Optischer Transceiver

    Die Gigalight Der digitale kohärente optische CFP-DCO-Transceiver 100G ist ein hot-plug-fähiges optisches CFP-Modul mit Formfaktor, das für optische Hochgeschwindigkeitsnetzwerkanwendungen wie 100-Gigabit-Ethernet und OTU4 entwickelt wurde. Die elektrische CAUI- und OTL4.10-Schnittstelle sowie die MDIO-Verwaltungsschnittstelle sind im Modul integriert. Das CFP-DCO-Modul 100G wandelt die 10-Lane-10Gb / s-Datenströme in ein optisches 128G-DP-QPSK-Ausgangssignal und die optischen DP-QPSK-Eingangssignale in eingehende 10-Lane-10Gb / s-Datenströme um. Dieses 10-Lane-Signal für 10Gb / s entspricht vollständig der 802.3ba-CAUI-Spezifikation und der OIF-CEI-03.1-Spezifikation und ermöglicht die Verfolgung von FR4-Host-Leiterplatten bis zu 25cm.

    Videos 17. Mai 2019 0 0 5
  • Die Herausforderungen und Möglichkeiten der Silizium-Photonik bei der Anwendung optischer Module

    Der Stand der Silizium-Photonik-Technologie bei der Anwendung von optischen Modulen Mit der Reife der Wellenleitertheorie und der Herstellung einer Reihe neuer Design-Bauelemente hat die Industrie die Silizium-Photonik-Technologie vorgeschlagen, die auf CMOS-Herstellungsprozessen basiert. Silicon Photonics nutzt die ausgereifte Siliziumwafer-Verarbeitungstechnologie der traditionellen Halbleiterindustrie. Es kann großflächige Wellenleitervorrichtungen auf dem Siliziumsubstrat durch einen Ätzprozess bearbeiten. Durch die Verwendung von Prozessen wie dem epitaktischen Wachstum ist es möglich, Schlüsselvorrichtungen wie Modulatoren und Empfänger vorzubereiten und schließlich eine hohe Integration von Modulatoren, Empfängern und passiven optischen Vorrichtungen zu erreichen. Zusätzlich zum Laser kann die Silicon Photonics-Technologie die integrierte Herstellung verschiedener Bauelemente im optischen Modul realisieren, wobei die meisten Komponenten im optischen Modul abgedeckt werden, der Laserchip jedoch nicht enthalten ist. Da Silizium eine indirekte Bandlücke ist, befinden sich das Leitungsbandminimum (Leitungsbandboden) und das Vollbandmaximum in unterschiedlichen Positionen im k-Raum. Der elektronische Übergang muss gleichzeitig die potentielle Energie und die kinetische Energie ändern. Der Laser muss ...

    24, Januar 2019 0 0 5

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